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提供单,双配置的24V输入,-40 / -60V耐压P沟道MOSFET
2021年02月15日    阅读量:338    新闻来源:中网信息 ChinaNews360.com  |  投稿

ROHM Semiconductor宣布24种输入,24V输入,-40V / -60V耐压P沟道MOSFET的产品阵容,包括单配置(RqxxxxxAT / RdxxxxxAT / RsxxxxxAT / RFxxxxxAT)和双配置(UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5)。这些新设备非常适合工业和消费类应用,例如工厂自动化,机器人技术和空调系统。

提供单,双配置的24V输入,-40 / -60V耐压P沟道MOSFET 中网信息,ChinaNews360.com

近年来,由于对更高效率和功率密度的需求推动了在工业和消费类应用中采用更高的输入电压,因此,MOSFET不仅有望提供低导通电阻,而且还可以提供高耐压中国机械网okmao.com。N沟道和P沟道存在两种类型的MOSFET。尽管N沟道类型通常在高端使用时具有较高的效率,但是需要高于输入电压的栅极电压,这会使电路配置复杂化。另一方面,可以用低于输入电压的栅极电压驱动P沟道MOSFET,从而大大简化了电路配置,同时降低了设计负载。


在此背景下,罗姆公司采用先进的第五代改进工艺开发了与24V输入兼容的低导通电阻-40V / -60V P沟道MOSFET。这些新产品基于ROHM经过市场验证的P沟道MOSFET结构,利用完善的工艺技术实现了同类产品中每单位面积最低的导通电阻。对于新的-40V产品,这意味着导通电阻比传统产品低62%,对于新的-60V产品,其导通电阻低52%。


同时,通过优化器件结构并采用减轻电场集中的新设计来提高质量。结果,实现了高可靠性和低导通电阻(通常处于折衷关系)。这些解决方案有助于在要求卓越品质的工业设备中长期稳定运行。


罗姆继续为各种应用开发各种封装,包括针对汽车领域优化的产品。除了这些第5代P沟道MOSFET之外,为了增强ROHM在需求增长的5G基站和数据中心服务器中的阵容,该公司还在开发更高效率的N沟道MOSFET。这些产品有助于降低应用程序设计负担,同时提高效率和可靠性。


标签:机械应用人工智能技术中心设备与仪器配件与装备系统及软件工业设备
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